SAMSUNG DDR5 DRAM 12nm !

SAMSUNG DDR5 DRAM’ı Tanıttı. SAMSUNG şirketi ilk ve yeni 12nm sınıfı olan DDR5 DRAM’ın duyurusunu yaptı. Önümüzdeki yıl SAMSUNG ‘un RAM’in seri üretime başlayacağı paylaşılanlar arasında. Gelin konuyla ilgili detaylara birlikte bakalım!

SAMSUNG DDR5 DRAM’ı Tanıttı

Yeni RAM 12nm DDR5 DRAM, AI uygulamaları ve veri merkezleri gibi bilgi işlem konusu üzerine tasarlanmış. SAMSUNG teknoloji devi DRAM ürünleri ve sahip olduğu teknolojilerinin sorumlu başkan yardımcısı Jooyoung Lee konu hakkında şunları aktardı ” Olağanüstü performans ve güç verimliliği ile yeni nesil DRAM’ lerimizin, yeni nesil bilgi işlem, veri merkezleri ve yapay zeka destekli sistemler gibi alanlarda daha sürdürülebilir operasyonların temelini atması beklentilerimiz arasında.”.

Bu bir teknolojik sıçrama olarak görülmektedir. Hücre kapasitesini arttıran yüksek Dielektrik sabiti içerisinde bulunan yeni malzeme ve kritik devre özelliklerini geliştiren tescilli tasarım tekniklerinin kullanılmasıyla mümkün kılınıyor. Gelişmiş bir çok katmanlı EUV litografi ile birleştirilmiş yeni DRAM, Wafer verimliliğinde yüzde 20’lik bir artışla endüstrinin en yüksek çip yoğunluğuna sahip olacak.

Konu hakkında AMD Başkan Yardımcısı, Kurumsal İş Ortağı, CTO Müşteri, Bilgi İşlem ve Grafiklerden sorumlu olan Joe Macri konu ile ilgili şunları söylüyor “Zen platformu için optimize edilmiş ve onaylanmış DDR5 bellek ürünlerini tanıtmak üzere SAMSUNG ile yeniden çalışmak mutluluk verici.” .

SAMSUNG ise tanıtımında üründen şu şekilde bahsediyor, “7.200 Mb/sn’ye varan olağanüstü aktarım hızlarıyla DDR5, daha büyük, daha karmaşık veri iş yüklerinin sürekli artan taleplerini etkili bir şekilde karşılar. DDR5, seri çekim uzunluğunun 8’den 16’ya iki katı ve bankaların 16’dan 32’ye iki katı ile DDR4’e kıyasla iki kattan fazla performans artışı sağlar. Şaşırtıcı performans, 8K içeriği sorunsuz bir şekilde işlerken büyük veri işlemede çıtayı yükseltir.”

SAMSUNG ‘un 10nm sınıfı işlemi ve EUV teknolojisi, çip birimlerinin 16Gb’den 32Gb’ye sıçramasını sağlamaktaydı. Çip kapasitesinin iki katına çıkarılması , gelecekteki yenilikler için ölçeklenebilirlik ile aynı anda devasa iş yüklerini akıcı bir şekilde işlemek için bir modülün 512 GB’a kadar sağlayabileceği anlamına gelmekte. SAMSUNG DDR5 DRAM 12nm’ nin kapasitesi inanılmaz olacak gibi görünüyor.

SAMSUNG, SAMSUNG DDR5 DRAM yeni çiplerinin 2023 yılında üretimine başlamayı hedefliyor.

“Tesla Airpower Benzeri 300 Dolarlık Şarj Matını Duyurdu!” Habere erişmek için Tıklayın!